5 ноября 1929 года в Москве открылся первый в стране планетарий. В то время он был единственным на просторах нашей родины и тринадцатым в Европе. Идея создания планетария принадлежит директору Института К. Маркса и Ф. Энгельса при ЦИК СССР Давиду Рязанову. Именно по его инициативе президиум нового состава Моссовета постановил создать в Москве научно-просветительное учреждение нового типа, то есть планетарий. Из городского бюджета было выделено 250 тысяч рублей.
За воплощение проекта в жизнь взялись архитекторы М. О. Барщ и М. И. Синявский, а также инженер Г. А. Зундблат. При проектировании молодые московские архитекторы взяли за основу природную форму яйца в геометрически-тектоническом плане. Под куполом диаметром 27 метров располагался зал на 1400 мест. Сам Рязанов после согласования деталей будущего планетария с Моссоветом в 1927 году выехал в Германию и провел переговоры с компанией Carl Zeiss об изготовлении соответствующего оборудования.
Торжественное открытие произошло 5 ноября 1929 года. В середине 1977 года научно-просветительное учреждение подверглось реконструкции. За год планетарий принял свыше 700 тысяч человек. В 1990 году была открыта народная обсерватория, в которой был установлен самый большой телескоп в Москве, доступный для массовых наблюдений.
К сожалению, в 1994 году московский планетарий закрылся. Лишь 12 июня 2011 года, после реконструкции, он вновь стал принимать посетителей. Московский планетарий находится по адресу ул. Садовая-Кудринская, д. 5, стр. 1. С программой мероприятий и временем работы заведения вы можете ознакомиться на официальном сайте центра.
Московский планетарий сегодня
5 ноября 2002 года ученые Корнелльского Университета представили атомную батарейку. За основу разработки специалисты взяли технологию MEMS (microelectromechanical systems, микроэлектромеханические системы). В качестве элемента питания — радиоактивный изотоп. В итоге атомная батарейка способна проработать не менее 50 лет.
А теперь более подробно. В элементе питания под тонким слоем изотопа никель-63 (период полураспада превышает 100 лет) расположен крошечный кантилевер (рычаг). В процессе распада электроны заряжают его и создают разность потенциалов между пленкой и рычагом. Таким образом, кантилевер притягивается к пленке и, касаясь ее, разряжается, тем самым возвращаясь в исходное положение. В конструкции атомной батарейки использовался кварцевый рычаг, механическое движение которого и преобразовалось в электроэнергию.
Самое интересное, что в 2013 году в продажу поступил атомный аккумулятор NanoTritium от компании City Labs, который, по заверениям производителей, способен обеспечить работу электронного устройства сроком до 20 лет. Как нетрудно догадаться, в его основе используется тяжелый изотоп водорода — тритий. В природе он получается в высоких слоях атмосферы под воздействием радиации. Тритий научились получать и искусственно. Только стоит учесть, что килограмм этого элемента стоит несколько десятков миллионов долларов. Излучение, вызванное распадом этого элемента, считается безопасным для человека.
Вырабатывает NanoTritium очень мало — от 50 до 300 нА. Однако такой аккумулятор подойдет для питания множества микроэлектронных устройств. Он уже применяется в системах с ограниченным доступом. В труднодоступных и опасных местах, о которых хочется забыть на пару десятков лет. Стоит один аккумулятор свыше 1000 долларов США.
Батарейка NanoTritium
5 ноября 2003 года Intel сообщила об успешном применении high-k диэлектриков (нового материала) при производстве процессоров. Эта технологии позволила значительно уменьшить токи утечки, а, следовательно, и потребление энергии.
Первоначально high-k диэлектрики планировалось масштабно применять в интегральных схемах, начиная с 2007 года. То есть одновременно с коммерческой реализацией 45-нм техпроцесса. Действительно, по факту первыми центральными процессорами, оснащенными этой технологией, стали решения поколения Penryn.
Что дает использование high-k диэлектриков? Уменьшение токов утечек минимум в 100 раз. Дело в том, что диоксид кремния (SiO2), традиционно использовавшийся в качестве диэлектрика для создания затвора транзистора на протяжении нескольких десятков лет, просто-напросто исчерпал весь свой потенциал. Так, уже при проектировании 65-нм специалистам из Intel удалось создать слой диэлектрика из диоксида кремния толщиной 1,2 нм. Это пять атомных слоев! Данное достижение очень важно для рынка микроэлектроники, ибо с каждым новым поколением интегральных схем разработчики (и Intel в частности) все ближе приближаются к физическим возможностям полупроводниковых материалов. Именно таким технологиям мы и обязаны появлению современных центральных процессоров. Следующим шагом эволюции кремниевых чипов стала интеграция трехмерных транзисторов.
Использование high-k диэлектрика
Источник:
