Правительство США предварительно одобрило выделение $150 млн стартапу xLight, разрабатывающему принципиально новый источник EUV-излучения на базе лазера на свободных электронах (FEL). Это может позволить стране обрести контроль над ключевым сегментом глобальной цепочки поставок для производства передовых микросхем.
Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты 
Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа 
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия 
Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ 
Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты 
Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro 
Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь 
Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой» 
Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой 
Источник изображения: xLight
Как сообщает Tom’s Hardware, предварительное одобрение от Министерства торговли США получено в рамках программы, предусмотренной «Законом о чипах и науке» (CHIPS and Science Act). Соглашение оформлено в виде необязательного по юридической силе документа под названием Letter of Intent (LOI), который, тем не менее, свидетельствует о завершении предварительной оценки проекта и намерении сторон двигаться к заключению контракта.
Стартапом xLight руководят генеральный и технический директор Николас Келез (Nicholas Kelez) и исполнительный председатель Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), ранее занимавший пост гендиректора Intel. Они планируют разместить свою первую FEL-установку в нанотехнологическом комплексе города Олбани (штат Нью-Йорк). Технология компании предусматривает использование ускорителя частиц, который с помощью радиочастотных полей и магнитов разгоняет электроны до высоких скоростей. Далее эти электроны проходят через ондулятор (устройство с периодическим магнитным полем), где генерируют когерентное EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм с возможностью масштабирования до 2 нм для мягкого рентгеновского излучения.
В отличие от традиционных источников на основе лазерно-индуцированной плазмы (LPP), применяемых в литографических сканерах ASML, FEL-система исключает стадию плазменного преобразования, что, по утверждению xLight, обеспечивает более высокую яркость, узкую спектральную ширину и фемтосекундные импульсы для более чёткого формирования изображения.
FEL будет размещён в отдельном помещении рядом с фабрикой, не требующим чистоты по стандарту ISO 4 или ISO 5. После генерации EUV-излучения оно передаётся через систему специализированных зеркал скользящего падения с поворотными станциями к нескольким сканерам ASML — до 20 на один блок FEL. Затем этот свет попадает в осветитель сканера, где он формируется и направляется на пластину.
Однако технология пока не доказала ни свою работоспособность, ни промышленную применимость — особенно в условиях необходимости интеграции с дорогостоящими EUV-установками (Low-NA или High-NA). Кроме того, использование инфраструктуры лабораторий Министерства энергетики США (DOE) может привести к ограничению экспорта отдельных компонентов и замедлению глобального внедрения. К тому же администрация Дональда Трампа (Donald Trump) особенно скептически относится к законопроекту Джо Байдена (Joe Biden) о «чипах и науке», утверждая, что это пустая трата денег налогоплательщиков. Тем не менее, правительство США, похоже, изменило своё мнение, пообещав выделить xLight средства.
Источник: 3Dnews.ru
