В августе этого года на форуме Flash Memory Summit корпорация Western Digital объявила о планах использовать резистивную память с произвольным доступом (restistive random access memory, ReRAM) в качестве памяти для SSD-накопителей c повышенной производительностью. Это так называемые SCM-накопители (storage class memory), которые должны занять промежуточное положение между DRAM и классическими твердотельными накопителями. Память типа ReRAM должна идеально подходить для этой задачи, поскольку она обещает сочетать скорости доступа, близкие к характеристикам памяти DRAM и при этом быть энергонезависимой.
Слайд из презентации Western Digital на FMS
Из скупого на подробности доклада представителей компании Western Digital можно было представить, что новый класс твердотельных накопителей будет опираться на разработки компаний SanDisk и Toshiba. И действительно, компании SanDisk и Toshiba уже три года назад могли похвастаться опытными экземплярами 32-Гбит памяти ReRAM, а год назад SanDisk и HP подписали договор о совместной разработке памяти ReRAM. С мая этого года компания SanDisk перешла в собственность компании Western Digital, что автоматически перевело её разработки в руки нового владельца. Однако на днях появилась информация, что компания Western Digital держит руку на пульсе у ещё одной технологии ReRAM.
Слайд из презентации Western Digital на FMS
Как стало известно, такое подразделение Western Digital, как Hitachi GST, два года подряд работает с молодой австралийской компанией 4DS. Летом нынешнего года HGST и 4DS заключили ещё один договор о совместных работах на следующий год. Суть работ заключается в повышении надёжности хранения данных в ячейке памяти ReRAM и в разработке технологий, увеличивающих число циклов стирания ячеек ReRAM. Очевидно, что разработки 4DS — это независимый проект, а не совершенствование разработок SanDisk и Toshiba. Это подводит нас к тому, что Western Digital рассматривают несколько вариантов памяти ReRAM. Впрочем, это неудивительно. Сегодня наберётся не менее двух десятков различных технологий работы резистивной памяти с произвольным доступом.
Структура ячейки ReRAM компании 4DS (4DS)
По словам руководства 4DS, разработка компании выгодно отличается от конкурирующих вариантов. Во-первых, само строение ячейки ReRAM 4DS обещает бóльшую плотность записи по сравнению с памятью 3D NAND в случае использования одинакового техпроцесса. Уточним, компания 4DS экспериментирует с ячейками ReRAM, выпущенными в рамках 40-нм техпроцесса, тогда как память 3D NAND сегодня массово выпускается с использованием техпроцессов в диапазоне от 45 до 50 нм.
Состав ячейки памяти ReRAM компании 4DS (4DS)
Другим преимуществом разработки 4DS называется реализованный принцип работы памяти. Это память с переключением рабочего слоя, когда сопротивление ячейки меняется сразу во всём рабочем слое (Interface Switching ReRAM или Non-Filamentary ReRAM). Альтернативой этому может служить память с образованием нитевидных токопроводящих «волокон» из ионов серебра в рабочем слое ячейки. Такую память разработала компания Crossbar и, что важно, о готовности производства памяти Crossbar ReRAM с использованием 40-нм техпроцесса уже сообщил крупнейший в Китае контрактный производитель — компания SMIC. Похоже, на этом направлении становится жарко. Но разве нам об этом жалеть?
Источник:
