Институт физики микроструктур Российской академии наук подготовил дорожную карту по созданию отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Самая передовая система, позволяющая производить процессоры и однокристальные системы по техпроцессу 10 нм (и меньше), появится примерно через 10 лет.
Изображение сгенерировано ChatGPT
Российские литографы не будут похожи на литографы ASML. Так, в отечественных машинах планируется использовать совершенно иной набор технологий: гибридные твердотельные лазеры, источники света на основе ксеноновой плазмы и зеркала из рутения и бериллия. Выбор ксенона вместо олова, применяемого в машинах ASML, позволит избежать загрязнения фотошаблонов, что значительно снизит затраты на обслуживание. При этом, по сравнению с DUV-установками ASML, меньшая сложность конструкции позволит избежать использования иммерсионных жидкостей под высоким давлением.
Фото: ИФМ РАН/Dmitrii Kuznetsov
Дорожная карта включает в себя три основных этапа:
- Первый этап (2026–2028 годы): Создание литографа для 40-нанометрового техпроцесса со скоростью более пяти пластин в час;
- Второй этап (2029–2032 годы): Разработка сканера, позволяющего выпускать CPU и SoC по техпроцессу 14 нм со скоростью более 50 пластин в час;
- Третий этап (2033–2036 годы): Создание системы для производства чипов с разрешением менее 10 нм и скоростью более 100 пластин в час.
В каждом поколении литографов будет совершенствоваться оптическая система и эффективность сканирования, при этом стоимость единицы продукции должна быть гораздо ниже, чем в случае использования систем ASML Twinscan NXE и EXE.
По материалам iXBT.com
