В мае прошлого года мы рассказывали об израильском стартапе Weebit Nano, который за два года из никому не известной группы инженеров превратился в компанию с акциями, котирующимися на Австралийской бирже. Весной 2016 года произошло так называемое обратное поглощение, когда австралийская компания Radar Iron поглотила Weebit Nano и прекратила своё существование. Тогда же (летом 2016 года) председателем совета директоров Weebit Nano был назначен хорошо известный нам бывший главный микропроцессорный архитектор компании Intel Дэвид (Дэди) Перлмуттер (David Perlmutter). Авторитет Weebit Nano взлетел до невиданных высот. Очевидно, они движутся в правильном направлении.
Дэвид Перлмуттер (David Perlmutter) на IDF 2012 (Intel)
Направление Weebit Nano — это разработка доступных техпроцессов по производству памяти ReRAM. Ярче всех на фоне ReRAM отметилась компания HP со своим мифическим мемристором. Но и только. В массовое производство мемристор не пошёл. Параллельно разработку технологии производства ReRAM ведут практически все известные и масса малоизвестных компаний. Израильская Weebit Nano поступила проще. Они приобрели ряд ключевых патентов на ячейку ReRAM у профессора Университета Райса Джеймса Тура (James Tour). На основе патентов в 2015 году была предложена технология производства ReRAM, а в ноябре этого года опытное производство института Leti в Гренобле выпустило опытный образец с массивом ReRAM Weebit ёмкостью 4 Кбит с ячейкой размерами 300 нм.
По признанию разработчиков, за два года пройден путь, на который обычно уходит от 7 до 10 лет. Опытный кремний позволяет оценить характеристики памяти и подтвердить соответствие технологий актуальным техпроцессам. Разработка Weebit интересна тем, что в основе рабочего слоя ячейки лежит доступный и недорогой оксид кремния SiOx, а не какие-то экзотические материалы (хотя использование классического диоксида кремния было бы вообще замечательно, но, похоже, это не так).
Непростая по строению память ReRAM Sony и Micron (структура в разрезе, изображение двух соседних ячеек)
Опытные испытания 4-Кбит массива ReRAM показали, что ячейка не теряет данных при нагреве до 150, 200 и 260 градусов по Цельсию. Согласно индустриальным стандартам, при нагреве данные должны сохраняться 15 минут. Это время и температура, необходимые на пайку микросхем при поверхностном монтаже. При нагреве опытная память сохраняла данные до 30 минут, что позволит организовать с ней несколько циклов пайки.
Простая по строению но со сложным переходом ячейка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)
Кроме этого тесты и экстраполяция полученных данных показали, что ячейка ReRAM может удерживать данные не менее 10 лет, что тоже соответствует индустриальному стандарту. Также испытания показали, что ячейка ReRAM выдерживает намного больше циклов перезаписи, чем NAND-флеш. До конца года компания Weebit обещает представить технологию производства ReRAM с 40-нм ячейкой. Это ещё не коммерциализация технологии, но темп движения к ней обнадёживает.
Источник:
