На сегодня наибольшего прогресса в деле освоения производства такого нового типа энергонезависимой памяти, как MRAM (магниторезистивная память), добилась компания GlobalFoundries. В октябре 2014 года GlobalFoundries заключила договор на внедрение в производство памяти ST MRAM (Spin-Torque MRAM), которую разработала компания Everspin Technologies. Это память с записью данных в ячейку с помощью переноса спина электрона на основе тоннельного эффекта. Такая память значительно энергоэффективнее NAND-флеш и намного быстрее и надёжнее её. Основная проблема MRAM заключается в сравнительно крупной ячейке и низкой плотности записи. Эту проблему компания GlobalFoundries постепенно решает.
Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв
В августе на мероприятии Flash Summit 2017 GlobalFoundries и Everspin показали самую передовую и плотную в индустрии память MRAM: массово выпускаемые 256-Мбит 40-нм микросхемы и опытные 1-Гбит 28-нм чипы. Всю эту память выпускает компания GlobalFoundries. Но главной услугой стала возможность выпускать на мощностях GlobalFoundries контроллеры и SoC со встроенным массивом памяти MRAM. Такие решения отличаются быстрой и надёжной встроенной памятью, выполнение кода в которой происходит почти также быстро, как в оперативной памяти. А с настоящего момента GlobalFoundries предлагает инструменты для проектирования 22-нм контроллеров со встроенной памятью MRAM на пластинах FD-SOI (кремний на изоляторе с полностью обеднённым слоем).
Микросхемы памяти MRAM компании Everspin
Первые проекты решений для техпроцесса 22FDX со встроенной памятью MRAM будут собраны для опытного производства к первому кварталу 2018 года. Рисковое производство по этим проектам будет проведено в конце 2018 года. В GlobalFoundries ожидают, что техпроцессом 22FDX воспользуются проектировщики бытовых, индустриальных и автомобильных контроллеров и решений для вещей с подключением к Интернету с батарейным питанием. Техпроцесс 22FDX обещает достаточно экономное потребление для чипов и высокую надёжность хранения данных. Например, ячейки MRAM в техпроцессе 22FDX могут хранить данные без потери 10 лет при температуре 125 градусов по Цельсию. Также опыты подтверждают, что в процессе перепайки памяти с нагревом до 260 градусов ячейки MRAM не теряют информацию. Подобные характеристики востребованы для бортовой электроники, и они гарантированно найдут применение на практике.
Источник:
