8.6 C
Москва
06 ноября 2025, 11:41

Phison приступила к разработке контроллера стандарта UFS 3.0

0
Универсальные флеш-накопители, повсеместно интегрируемые сегодня в мобильные устройства в качестве носителей информации, переходят на новые стандарты для повышения уровня быстродействия. Пока одни считают память UFS...

SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

0
Как сообщают отраслевые источники, компания SK Hynix на своём южнокорейском предприятии M12 в Чхонджу приступила к серийному выпуску многослойной (трёхмерной) флеш-памяти четвёртого поколения. Такая...

SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

0
Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную...

Samsung заподозрили в ценовом сговоре на рынке чипов памяти

0
Китайский экономический регулятор выразил беспокойство подорожанием чипов памяти для смартфонов и антимонопольной деятельностью их производителей, включая Samsung. «Мы заметили рост стоимости и будем уделять больше...

Сеул намерен обсудить в Пекине признаки давления на Samsung

0
Как вы можете помнить, в начале года регулирующие органы Китая наконец-то задали компании Samsung неудобные вопросы по поводу стремительно подорожавшей памяти. В ответ на...

Computex 2017: Plextor представила новые SATA SSD: M8V и S3C

0
Компания Plextor на выставке Computex объявила об обновлении ассортимента твердотельных накопителей с SATA-интерфейсом, направленных на массовый и бюджетный рыночные сегменты. В ближайшее время место...

Дебютировали SSD-накопители Plextor M8V в форматах 2,5″ и М.2

0
Компания Plextor официально представила твердотельные (SSD) накопители семейства M8V, которые впервые демонстрировались ещё на прошлогодней выставке Computex 2017. В серию вошли изделия в форм-факторах М.2...

Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

0
Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что...

Опубликованы спецификации UFS 3.0: флеш-память смартфонов удвоит скорость

0
Комитет JEDEC Solid State Technology Association опубликовал финальные спецификации стандарта Universal Flash Storage версии 3.0 (UFS). С момента принятия спецификаций UFS 2.1 прошло около...

GALAX выпустит DDR4-модули Gamer II с многоцветной подсветкой

0
Компания GALAX, по сообщениям сетевых источников, подготовила к выпуску модули оперативной памяти Gamer II стандарта DDR4, рассчитанные на использование в игровых настольных компьютерах. Изделия имеют...