Два с половиной года назад компания Samsung начала первой выпускать многослойную флеш-память типа 3D NAND. Уход в вертикаль дал возможность уменьшить площадь кристалла на пластине и увеличить число выхода микросхем с каждой пластины (или снижение себестоимости). При этом для выпуска многослойной флеш-памяти не нужно использовать самые передовые техпроцессы типа 15-нм 16-нм, что даёт возможность использовать «старое» оборудование и, что важно для потребителей, не ухудшает качественные характеристики микросхем энергонезависимой памяти. Ведь чем тоньше техпроцесс, тем меньше в ячейке места для хранения заряда, что ускоряет износ ячеек. Для выпуска 3D NAND используются техпроцессы класса 30–40 нм со всеми вытекающими, что, в общем-то, замечательно.
Память 3D NAND сочетает много достоинств, главным из которых стала низкая стоимость хранения данных (Toshiba)
Кстати, прогресс в деле выпуска памяти 3D NAND дал возможность компании Samsung начать фазу экономии инвестиций в производство. Пока конкуренты всеми силами налаживают выпуск коммерческих партий 3D NAND, компания Samsung может расслабиться. Так, в текущем году Samsung собирается снизить сумму инвестиций в производство памяти (DRAM и NAND) с прошлогоднего уровня $13 млрд до $9 млрд. В компании это объясняют ожидаемым снижением цен на NAND-флеш в связи с перепроизводством. И если Samsung уже сделала всё, чтобы «стричь купоны», то конкуренты из-за массивных непрекращающихся инвестиций ещё достаточно продолжительное время вынуждены будут балансировать на грани прибыльности. Но самым тревожным сигналом для международных игроков на этом рынке становится то, что Китай тоже включается в игру по выпуску 3D NAND.
Действующий завод китайской компании XMC Memory Fab
Как сообщается, в конце марта в Китае начнётся строительство самой передовой фабрики по выпуску флеш-памяти 3D NAND. Новый завод будет принадлежать местной компании XMC Memory Fab. Предприятие начнёт работать в 2017 году. Проектная мощность фабрики — 200 тыс. пластин в месяц. К радости конкурентов, на эту мощность предприятие выйдет в период от 5 до 10 лет. Действующий завод XMC Memory Fab по выпуску флеш-памяти ежемесячно может обрабатывать всего 20 тыс. пластин. Для сравнения, китайская фабрика компании Samsung по выпуску 3D NAND к концу прошлого года вышла на мощность порядка 100 тыс. пластин в месяц. Добавим, компания XMC Memory Fab будет выпускать память 3D NAND по технологии, разработанной совместно с компанией Spansion.
Аналитики считают, что в 2016 году флеш-память NAND с лейблом «Made in China» в данной категории продукции будет удерживать около 8 % мирового рынка. К лету следующего года эта доля обещает превысить 10 %. Уточним, это означает, прежде всего, что ведущие мировые компании увеличивают инвестиции в собственные китайские заводы по выпуску памяти NAND. Так, компания Intel до третьего квартала 2017 года завершит модернизацию своего завода в городе Далянь, который будет выпускать как 3D NAND, так и 3D XPoint. Также увеличат инвестиции в китайские заводы по выпуску 3D NAND компании Samsung и SK Hynix.
Сравнение возможностей основных производителей флеш-памяти (DRAMeXchange)
Из таблицы выше следует, что в 2016 году лидером производства флеш-памяти и, в частности — 3D NAND, останется компания Samsung. До конца года доля 3D NAND в потоке её продукции превысит 40 %. Среди остальных крупнейших производителей энергонезависимой памяти только компании Intel и Micron смогут добиться внушительных темпов перехода на производство 3D NAND. Благодаря Samsung и Intel с Micron к концу 2016 года доля 3D NAND в совокупном объёме NAND памяти достигнет 20 %, тогда как по итогам 2015 года её доля едва превышала 6 %. Внушительный скачок вперёд!
Источник:
